ZnGa2O4相关论文
在激发源停止后,长余辉材料会以较长时间连续发光的形式释放出能量。其发光的机理不同于荧光材料,发光过程中会涉及陷阱对载流子的......
本文对镓基发光材料的现状和思路进行了分析，结合镓基发光材料的特点，选择镓酸锌基质发光材料作为研究对象。确定了以金属镓为主要原......
作为一种新型无机功能材料,ZnGa2O4结构上的优势使其具有很高的化学稳定性、优异的荧光现象,良好的的光催化性质,以及较好的储锂性......
ZnGa2O4是立方晶系的宽带隙半导体,是一种具有很高化学稳定性的尖晶石结构的复合氧化物。本课题以Na3C6H5O7、Zn(NO3)2、Ga(NO3)3......
ZnGa_2O_4,属于三元尖晶石材料的一种,也是一种新型的n型宽带隙半导体材料,由于其优异的热稳定性和化学稳定性以及宽带隙(4.4?4.7 ......
近年来,石墨相氮化碳(g-C_3N_4)由于其良好的生物相容性和半导体性能,被广泛应用于生命分析和生物医学等领域。基于此,本论文构建......
通过微波溶剂热法合成宽禁带ZnGa2O4纳米光催化剂,并利用X射线衍射仪(XRD)、氮气吸脱附仪、紫外-可见漫反射仪(UV-Vis DRS)、透射......
首先采用基于密度泛函理论(DFT)框架下广义梯度近似平面波超软赝势法(包括PBE、PBESOL、PW91、RPBE、WC)对尖晶石型ZnGa2O4的结构......
采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2 O4纳米晶。XRD、SEM和TEM结构分析结果表明 ,喷射共沉淀法制备的Zn Ga2 O4纳米晶颗粒细小均匀 ,形状......
以柠檬酸为络合剂,通过溶胶-凝胶法合成了铕为激活剂的ZnGa2O4∶Eu荧光粉。讨论了煅烧温度、保温时间和激活剂的浓度对该荧光粉发......
采用柠檬酸-凝胶法合成了纯的ZnGa2O4粉末以及ZnGa2O4:Mn2+/Eu3+粉末,利用X射线衍射(XRD)、热重及差热分析(TG-DTA)、发光光谱等测......
以ZnO和HGaO2为原料，用不同配比合成出系列ZnGa2O4，并对其晶体结构和发光性能进行了研究。用荧光分光光度计检测了ZnGa2O4的激发和发......
以ZnO和Ga2O3为原料,采用高温固相法,在不同温度和原料配比下合成了ZnGa2O4。用254 nm的紫外灯照射样品后,发现存在余辉发光,有505......
ZnGa2O4,属于三元尖晶石材料的一种。由于其优异的热稳定性、化学稳定性以及宽带隙(4.4~4.7 eV)等优点受到了研究者广泛的关注。本......
在化学共沉淀法的基础上进行改进,采用喷射共沉淀法,制备了ZnGa2O4和ZnFe2O4等一些具有良好形貌的纳米气敏功能材料.采用XRD、SEM......
二维纳米片材料具有独特纳米结构,其电子传导与热量传递被限制在一个平面内,进而展现出一些与众不同的特性,研究发现,随着二维纳米......
采用水热法制备了ZnGa2O4纳米粉体，使用XRD、SEM、TEM及AFM对不同pH值条件下产物的结构及微观形貌进行了表征。结果表明pH值调节严......
长余辉发光材料是一种能够将激发光能量储存起来,能量在激发光源关闭后以可见光的形式释放出来,形成持续发光。近年来,随着人们节......
作为一种重要的半导体材料,稼基纳米材料在光催化、发光、新型光电器件等领域有广泛的应用。针对这些领域的实际应用,人们对其合成......
本文利用燃烧法结合真空热处理制备了Cr3+掺杂的镓酸盐红色/近红外长余辉发光材料。利用X-射线衍射、扫描电子显微镜表征样品的微......
随着电子技术及相关产业的迅速发展,以元素半导体Si为代表的第一代半导体材料及以GaAs,GaP,InP等化合物半导体为代表的第二代半导......
近年来，随着现代通信技术，如卫星通信、移动通信、全球卫星定位系统(GPS)、蓝牙技术以及无线局域网(WLAN)等的飞速发展，微波技术也向......
随着人们对白光照明光源需求量的日益增加,与此同时对世界能源和环境提出了严峻的考验。白光LED因其具有优于传统的照明光源优异的......
ZnGa2O4作为是一种自激活新型发光材料,最近受到了研究人员的广泛关注。它具有优秀的化学热稳定性和颜色纯度,其本身也是一种良好......
本文的研究工作主要是采用水热法以Ga(NO3)3为原料合成纳米氧化镓及其含氧酸盐。报道了在140℃的较低温度条件下添加表面活性剂十......
制约场发射显示器（FED）市场化的主要因素之一是目前还没有能全面满足FED使用要求的高性能低压荧光粉。本实验的主要目的是制备FED用......
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